廣閎推出業界頂級導通電阻規格MOSFET 助力AI服務器電源與高功率應用再升級
新竹 – 2025年6月16日 — 廣閎科技以其最新先進功率MOSFET技術,推出涵蓋80V、100V及150V耐壓系列產品。這些產品采用領先Trench技術,以極低的導通電阻 (RDS(ON)?) 和低閘極電荷 (Qg?) 為核心優勢,大幅提升AI服務器及其他高功率應用系統的整體效率和可靠性。其中80V耐壓功率MOSFET產品iMN007N08T,其導通電阻(RDS(ON)?)僅0.7mΩ,實現了目前業界同級產品中的最高規格。同時100V耐壓功率MOSFET產品iMN009N10T、iMN01N10T的(RDS(ON)?)低于1.2 mΩ,150V耐壓功率MOSFET產品iMN035N15T的(RDS(ON)?)為 3.2 mΩ皆為業界頂級水平。超低的導通電阻能顯著減少能源損耗,直接轉化為更優異的系統能源效率。
本系列產品均采用TOLL 封裝技術。TOLL (TO-Leadless) 封裝技術是一種緊湊型表面貼片式(SMD)解決方案,因應電子元件對高功率密度的嚴苛要求而生,在小型化、高功率密度、高效率、優異散熱特性及高可靠性等方面表現卓越,在電源應用領域獲得廣泛認可。此系列產品專為高功率應用量身打造,具備高效能、高質量與穩健性,非常適合服務器電源與數據中心、通信基地臺電源、電池管理系統(BMS)、48 V電池開關以及電動兩輪/三輪車等應用。我們致力于提供先進的電力電子解決方案,協助客戶實現高效能、小體積、高可靠的產品設計,滿足不斷演進的市場需求,為永續資通訊(ICT)設施和全球節能減碳目標貢獻力量。
產品推薦:
80V耐壓功率MOSFET產品 — iMN007N08T , RDS(on)=0.7mΩ(typ. @10V)
100V耐壓功率MOSFET產品 — iMN009N10T , RDS(on)?=1.05mΩ(typ. @10V)
100V耐壓功率MOSFET產品 — iMN01N10T , RDS(on)=1.2mΩ(typ. @10V)
150V耐壓功率MOSFET產品 — iMN035N15T , RDS(on)=3.2mΩ(typ. @10V)
關于廣閎科技
廣閎科技( inergy Technology Inc.)是專注于節能應用之IC設計公司,三大核心產品:功率金氧半場效電晶體、無刷直流馬達驅動控制模組、數位類比可程式化SoC散熱風扇驅動IC,提供低碳、低耗能的高能源效率產品,從IC到電機/電池/電源管理創新系統設計方案。